失效分析
服務(wù)項目 / 失效分析 / 破壞性物理分析 / 芯片去層 (Delayer)
芯片去層 (Delayer)
項目描述
芯片失效通常發(fā)生在多層結(jié)構(gòu)中下層結(jié)構(gòu)的層間金屬或有源區(qū)（Active Area，可在外加適當(dāng)?shù)钠秒妷合鹿ぷ鳎Ｒ虼?，為更好地發(fā)掘芯片的失效原因，就需要對芯片進(jìn)行去層處理，使得失效區(qū)域結(jié)構(gòu)具有可觀察性和可測試性。
去層方式
常見的芯片去層方式有：離子蝕刻、化學(xué)藥物蝕刻和機(jī)械研磨。
失效分析去層圖片
實(shí)驗(yàn)室檢測優(yōu)勢
1、交期快、成功率高，去層方法多樣，有整體去層和逐層去層。
2、為終端客戶在失效分析案件中更直觀分析測試。