失效分析
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激光束電阻異常偵測
項目描述
激光束電阻異常偵測(Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡稱OBIRCH)，以鐳射光在芯片表面(正面或背面) 進行掃描，在芯片功能測試期間，OBIRCH 利用鐳射掃描芯片內部連接位置，并產生溫度梯度，藉此產生阻值變化，并經由阻值變化的比對，定位出芯片Hot Spot(亮點、熱點)缺陷位置。
應用范圍
金屬線/Poly/Well短路 (Metal Short/Metal bridge)；
閘極氧化層漏電(Gate Oxide Pin Hole)；
金屬導通孔/接觸孔阻值異常；
任何有材質或厚度不一樣的Short/Bridge/Leakage/High Resistance 等芯片失效情況。
檢測圖片
經由OBIRCH掃描芯片正面、背面，找到異常亮點、熱點(Hot Spot)。
檢測優(yōu)勢
交期快，效率佳，可進行Backside Probe免去COB樣品備制的時間。